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SIC MOS (成管) 价格:

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详细内容 规格参数 产品优势以及应用


场景应用:     

(一)新能源汽车;在电驱逆变器、车载充电机(OBC )、DC - DC 转换器中,高频特性缩减磁性元件体积,低损耗提升续航,适配400V/800V 高压平台,加速汽车电动化升级 。

(二)光伏与储能;光伏逆变器中,高温稳定与高频优势,提升MPPT 控制器环境适应性,降低门极驱动损耗;储能系统里,高功率充放电场景下,可靠运行保障电网调峰、备电稳定,助力“光储充”一体化高效协同 。

(三)工业与电源;工业电机驱动(变频器、伺服系统 )中,消除死区时间限制,提升控制精度与效率;开关电源(SMPS )、UPS 领域,高频化设计让设备小型化、成本降低,适配工业自动化、数据中心等场景 。


SiC MOS (成管) 产品参数列表
Part No.VDSS(V)封装形式RDS(on)(mΩ)Drain
Current(A)
TC=25℃
VGS(th)(V)
(Typ.)
MS1M040200T2000TO-247-44087 2.8 
MS2M300065E650 TO-25227013 3.1 
MS2M300065FTO-22027012 3.1 
MS2M300065QDFN 8*827014 3.1 
MS1M013120T41200 TO-247-413175 2.8 
MS1M025170T41700 TO-247-422123 2.8 
MS12BS200S1200 SOT-2276.5160 4.0 
MS2M160065F650 TO-22015415 2.8 
MS1M060065DTO-247-35353 2.7 
MSM065012T4TO247-420.5100 3.0 


MS1M040200T.pdf

MS2M300065E .pdf

MS2M300065F.pdf

MS2M300065Q.pdf

MS1M013120T4.pdf

MS1M025170T4.pdf

MS12BS200S.pdf

MS2M160065F.pdf

MS1M060065D.pdf

MSM065012T4.pdf


产品核心优势:

(一)高效低耗,能效跃升;采用先进沟槽栅与外延生长工艺,导通电阻(Rds(on))极致优化 。远优于硅基器件,大幅降低导通损耗.                   

(二)宽温稳定,适配极端场景:结温支持-55℃至175℃全范围稳定工作,解决传统硅基器件高温降额痛点,无需复杂散热,适配新能源汽车电驱、工业高频电源等高温、高可靠性场景 。                   

(三)高耐压与高可靠性;器件耐压覆盖650V - 2200V 多等级,通过严苛雪崩测试(UIS )、高温反偏(HTRB )等可靠性验证;创新封装工艺,散热效率与长期可靠性双提升,保障复杂工况稳定运行 。


场景应用:     

(一)新能源汽车;在电驱逆变器、车载充电机(OBC )、DC - DC 转换器中,高频特性缩减磁性元件体积,低损耗提升续航,适配400V/800V 高压平台,加速汽车电动化升级 。

(二)光伏与储能;光伏逆变器中,高温稳定与高频优势,提升MPPT 控制器环境适应性,降低门极驱动损耗;储能系统里,高功率充放电场景下,可靠运行保障电网调峰、备电稳定,助力“光储充”一体化高效协同 。

(三)工业与电源;工业电机驱动(变频器、伺服系统 )中,消除死区时间限制,提升控制精度与效率;开关电源(SMPS )、UPS 领域,高频化设计让设备小型化、成本降低,适配工业自动化、数据中心等场景 。



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