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SIC MOS (芯片) 价格:

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详细内容 规格参数 产品优势以及应用


场景应用:     

(一)新能源汽车;在电驱逆变器、车载充电机(OBC )、DC - DC 转换器中,高频特性缩减磁性元件体积,低损耗提升续航,适配400V/800V 高压平台,加速汽车电动化升级 。

(二)光伏与储能;光伏逆变器中,高温稳定与高频优势,提升MPPT 控制器环境适应性,降低门极驱动损耗;储能系统里,高功率充放电场景下,可靠运行保障电网调峰、备电稳定,助力“光储充”一体化高效协同 。

(三)工业与电源;工业电机驱动(变频器、伺服系统 )中,消除死区时间限制,提升控制精度与效率;开关电源(SMPS )、UPS 领域,高频化设计让设备小型化、成本降低,适配工业自动化、数据中心等场景 。



SiC MOS (芯片)产品参数列表
Part No.VDSS(V)RDS(on)(mΩ)Drain
Current(A)
TC=25℃
VGS(th)(V)
(Typ.)
MSM042120B1200 42 60 3.5 
MSM032120B36 75 3.0 
MSM017120B14.5 160 2.6 
MSM042N1K2CZ1B4260 3.5 
MSM032N1K2CX1B3675 3.0 
MS2M020120B20103 2.6 
MS2M300065B650 27014 3.1 
MSM180065B18020 3.5 
MSM380065B38011 3.5 
MS1M060065B5353 2.7 
MS2M500065B5103.0 
MSM065012B16150 3.0 



MSM042120B.pdf

MSM032120B.pdf

MSM017120B.pdf

MSM042N1K2CZ1B.pdf

MSM032N1K2CX1B.pdf

MS2M020120B.pdf

MS2M300065B.pdf

MSM180065B.pdf

MSM380065B.pdf

MS1M060065B.pdf

MSM065012B.pdf


产品核心优势:

(一)高效低耗,能效跃升;采用先进沟槽栅与外延生长工艺,导通电阻(Rds(on))极致优化 。远优于硅基器件,大幅降低导通损耗.

(二)宽温稳定,适配极端场景:结温支持-55℃至175℃全范围稳定工作,解决传统硅基器件高温降额痛点,无需复杂散热,适配新能源汽车电驱、工业高频电源等高温、高可靠性场景 。

(三)高耐压与高可靠性;器件耐压覆盖650V - 2200V 多等级,通过严苛雪崩测试(UIS )、高温反偏(HTRB )等可靠性验证;创新封装工艺,散热效率与长期可靠性双提升,保障复杂工况稳定运行 。


场景应用:     

(一)新能源汽车;在电驱逆变器、车载充电机(OBC )、DC - DC 转换器中,高频特性缩减磁性元件体积,低损耗提升续航,适配400V/800V 高压平台,加速汽车电动化升级 。

(二)光伏与储能;光伏逆变器中,高温稳定与高频优势,提升MPPT 控制器环境适应性,降低门极驱动损耗;储能系统里,高功率充放电场景下,可靠运行保障电网调峰、备电稳定,助力“光储充”一体化高效协同 。

(三)工业与电源;工业电机驱动(变频器、伺服系统 )中,消除死区时间限制,提升控制精度与效率;开关电源(SMPS )、UPS 领域,高频化设计让设备小型化、成本降低,适配工业自动化、数据中心等场景 。


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